SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2285237-SI3457CDV-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3457CDV-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 5.1A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3457 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 450 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Tc) | |
| Другие имена | SI3457CDV-T1-E3TR SI3457CDV-T1-E3-ND SI3457CDV-T1-E3CT SI3457CDV-T1-E3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT1761MPS5-3.3#TRMPBFAnalog Devices Inc.
SS3P4-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes Division
74LVC1G07SE-7Diodes Incorporated
SQ3457EV-T1_BE3Vishay Siliconix
MAAP-011233-TR0500MACOM Technology Solutions- SI3457CDV-T1-GE3Vishay Siliconix
PMN70EPEXNexperia USA Inc.
SI3457DVFairchild Semiconductor- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
REF3430IDBVRTexas Instruments
FDC658APonsemi
