SSM6J414TU,LF
MOSFET P CH 20V 6A UF6
НОВА часть #:
312-2275712-SSM6J414TU,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM6J414TU,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | UF6 | |
| Базовый номер продукта | SSM6J414 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23.1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-SMD, Flat Leads | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | SSM6J414TULF(TDKR SSM6J414TULF(TTR SSM6J414TU,LF(T SSM6J414TULFDKR SSM6J414TULF SSM6J414TU,LFCT SSM6J414TULF(TCT SSM6J414TULF(TCT-ND SSM6J414TULF(TDKR-ND SSM6J414TULFCT SSM6J414TULF(TTR-ND SSM6J414TULFTR SSM6J414TU,LFDKR SSM6J414TU,LFTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ADA4817-1ACPZ-R7Analog Devices Inc.
ADG721BRMZAnalog Devices Inc.
SSM6J424TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FDT434PFairchild Semiconductor
AOD417Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SSM3J372R,LXHFToshiba Semiconductor and Storage
SSM3K56MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
LT1128CS8#PBFAnalog Devices Inc.
FDC606Ponsemi
BSS138onsemi- FDC658APonsemi
RTQ045N03TRRohm Semiconductor
