SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2282008-SI2305CDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2305CDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 8 V 5.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2305 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 960 pF @ 4 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | |
| Другие имена | SI2305CDS-T1-GE3DKR SI2305CDST1GE3 SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3CT |
In stock Нужно больше?
0,08700 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTR2101PT1Gonsemi
SI2301CDS-T1-E3Vishay Siliconix- SI2304DDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2305-TPMicro Commercial Co
MMBT3904LT1Gonsemi- SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- BAT54CLT1Gonsemi
- SI2301CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- FDV301Nonsemi
- MMBT2222ALT1Gonsemi
- BSS138onsemi
BAT54C,215Nexperia USA Inc.
TXS0108ERGYRTexas Instruments- SI2302CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
