DMN2550UFA-7B

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X2-DFN0806-3
Базовый номер продукта	DMN2550
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	600mA (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	0.88 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	3-XFDFN
VGS (макс.)	±8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	52.5 pF @ 16 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	360mW (Ta)
Другие имена	DMN2550UFA-7BDITR DMN2550UFA-7BDI DMN2550UFA-7BDIDKR DMN2550UFA-7BDICT

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!