IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
НОВА часть #:
312-2279831-IXFT60N65X2HV
Производитель:
Номер детали производителя:
IXFT60N65X2HV
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-268HV (IXFT) | |
| Базовый номер продукта | IXFT60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6300 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 780W (Tc) | |
| Другие имена | -IXFT60N65X2HV |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXFT50N60P3IXYS
IXFA80N25X3IXYS