DMN2020LSN-7
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
НОВА часть #:
312-2285010-DMN2020LSN-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2020LSN-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-59-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN2020 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.9A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 11.6 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1149 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 610mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN2020LSN7 DMN2020LSN-7DITR DMN2020LSN-7DICT DMN2020LSN-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
B0540W-7-FDiodes Incorporated
PMV20XNEARNexperia USA Inc.
ECS-250-18-33Q-DSECS Inc.
EE2-12TNU-LKEMET
DMP3056L-7Diodes Incorporated- PMV13XNEARNexperia USA Inc.
- DMN2041L-7Diodes Incorporated
- DMN2024U-7Diodes Incorporated
DMN2058UW-7Diodes Incorporated- DMP3099L-7Diodes Incorporated
AO3420Alpha & Omega Semiconductor Inc.
