PMV13XNEAR
PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
НОВА часть #:
312-2284812-PMV13XNEAR
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV13XNEAR
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 7.3A (Ta) 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7.3A, 8V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 931 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-PMV13XNEARDKR 1727-PMV13XNEARCT 934662625215 1727-PMV13XNEARTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SM5819PL-TPMicro Commercial Co
- DFLZ24-TPMicro Commercial Co
- DMN2020LSN-7Diodes Incorporated
- 2SK209-Y(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
- IS25WP128-RMLEISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- AO3416Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- SN74LVC1G08IDCKREPTexas Instruments
- TSM210N02CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- TL1105HF160QE-Switch
- APTF1616SEJ3ZGGVBDCKingbright
- CMUD4448 TR PBFREECentral Semiconductor Corp










