TSM60NB900CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
НОВА часть #:
312-2265234-TSM60NB900CP ROG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM60NB900CP ROG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252, (D-Pak) | |
| Базовый номер продукта | TSM60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 315 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 36.8W (Tc) | |
| Другие имена | TSM60NB900CP ROGTR TSM60NB900CP ROGTR-ND TSM60NB900CPROGTR TSM60NB900CP ROGCT TSM60NB900CP ROGCT-ND TSM60NB900CP ROGDKR-ND TSM60NB900CP ROGDKR TSM60NB900CPROGDKR TSM60NB900CPROGCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK5P60W,RVQToshiba Semiconductor and Storage
STD7NM60NSTMicroelectronics
STL10N65M2STMicroelectronics
R6004ENJTLRohm Semiconductor
CDM4-650 TR13 PBFREECentral Semiconductor Corp
