SI7415DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2281813-SI7415DN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7415DN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 3.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7415 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.6A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 5.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) | |
| Другие имена | SI7415DNT1GE3 SI7415DN-T1-GE3CT SI7415DN-T1-GE3DKR SI7415DN-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N5819HW-7-FDiodes Incorporated
SI7308DN-T1-E3Vishay Siliconix
MMBT3904,215Nexperia USA Inc.
SI1012CR-T1-GE3Vishay Siliconix
AQY212GSPanasonic Electric Works- SI7415DN-T1-E3Vishay Siliconix
PMEG6020ER,115Nexperia USA Inc.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay Siliconix
LD39050PU33RSTMicroelectronics
VN10LFTADiodes Incorporated
NTTFS5116PLTAGonsemi
CMD12-21SRC/TR8Visual Communications Company - VCC
