SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
НОВА часть #:
312-2281534-SI1012CR-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1012CR-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SC-75A
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-75A | |
| Базовый номер продукта | SI1012 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 630mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2 nC @ 8 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-75, SOT-416 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 43 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 240mW (Ta) | |
| Другие имена | SI1012CR-T1-GE3-ND SI1012CR-T1-GE3CT SI1012CR-T1-GE3DKR SI1012CR-T1-GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,08810 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDS6990ASonsemi
LTC4006EGN-2#PBFAnalog Devices Inc.
BZX84-C3V3,215Nexperia USA Inc.
DMG1012T-7Diodes Incorporated
SI1012R-T1-GE3Vishay Siliconix
418121270804Würth Elektronik
SI7415DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM3K36FS,LFToshiba Semiconductor and Storage
