PSMN8R2-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2281541-PSMN8R2-80YS,115
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN8R2-80YS,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN8R2 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 82A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3640 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 130W (Tc) | |
| Другие имена | 568-4904-1 568-4904-2-ND 1727-4272-1 568-4904-6-ND 568-4904-2 1727-4272-2 568-4904-1-ND 934063935115 568-4904-6 1727-4272-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NDS331Nonsemi
LM7321MFE/NOPBTexas Instruments
LT4256-1CS8#TRPBFAnalog Devices Inc.- LT4256-1IS8#PBFAnalog Devices Inc.
IXTP96P085TIXYS
ECS-2033-160-BNECS Inc.
BSH103,215Nexperia USA Inc.
PSMN011-80YS,115Nexperia USA Inc.
MMBD4148-7-FDiodes Incorporated- BSH103BKRNexperia USA Inc.
LT3010EMS8E-5#TRPBFAnalog Devices Inc.
BSS84MDD
