BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
НОВА часть #:
312-2263310-BSH103,215
Производитель:
Номер детали производителя:
BSH103,215
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 850mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | BSH103 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 850mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 500mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 400mV @ 1mA (Min) | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 83 pF @ 24 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 540mW (Ta) | |
| Другие имена | BSH103 T/R-ND 2156-BSH103,215-NEX 1727-4319-2 NEXNEXBSH103,215 1727-4319-1 568-5013-2 1727-4319-6 934054713215 568-5013-6 BSH103 T/R BSH103215 568-5013-1-ND 568-5013-2-ND BSH103,215-ND 568-5013-1 568-5013-6-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BSS138W-7-FDiodes Incorporated
- BSH105,235Nexperia USA Inc.
- FDV303Nonsemi
- BSH203,215Nexperia USA Inc.
- 1SMA5919BT3Gonsemi
- BSH103,235Nexperia USA Inc.
- BSH103BKRNexperia USA Inc.
- SI1013R-T1-GE3Vishay Siliconix





