FDMS86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2263211-FDMS86102LZ
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86102LZ
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86102 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Ta), 22A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1305 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86102LZ-ND FDMS86102LZCT 2156-FDMS86102LZ-OS FDMS86102LZDKR ONSONSFDMS86102LZ FDMS86102LZTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC014N06NSATMA1Infineon Technologies
BSC027N06LS5ATMA1Infineon Technologies