SI2308BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2280685-SI2308BDS-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2308BDS-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2308 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 190 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) | |
| Другие имена | SI2308BDS-T1-E3TR SI2308BDS-T1-E3-ND SI2308BDS-T1-E3CT SI2308BDS-T1-E3DKR SI2308BDST1E3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN6140L-7Diodes Incorporated
MIC5353-3.3YMT-TRMicrochip Technology- ZXMN6A07FTADiodes Incorporated
PMV37ENEARNexperia USA Inc.
EVP-BB2A9B000Panasonic Electronic Components
SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
150060BS75000Würth Elektronik
SBAS70-04LT1Gonsemi
MC34161DR2Gonsemi- NTR5198NLT1Gonsemi
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
SN74LVC1G32DBVRTexas Instruments
