NVMTS1D5N08H
MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
НОВА часть #:
312-2305392-NVMTS1D5N08H
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMTS1D5N08H
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 80 V 38A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 258W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| Базовый номер продукта | NVMTS1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 38A (Ta), 273A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 490µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 125 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8220 pF @ 40 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 258W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVMTS1D5N08HTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDMT1D3N08Bonsemi
NTMTSC1D5N08MConsemi- NVMTS1D2N08Honsemi
- NVMTSC1D3N08M7TXGonsemi
IAUT300N08S5N012ATMA2Infineon Technologies- NVBLS1D1N08Honsemi
- NTBLS1D1N08Honsemi
