G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
НОВА часть #:
312-2265006-G3R40MT12D
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R40MT12D
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 71A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | G3R40 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 71A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.69V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 106 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2929 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R40MT12D |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NVHL040N120SC1onsemi
- G3R60MT07DGeneSiC Semiconductor
- AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
- G3R40MT12JGeneSiC Semiconductor
- IMW120R030M1HXKSA1Infineon Technologies
- G3R75MT12DGeneSiC Semiconductor
- C3M0040120DWolfspeed, Inc.
- NTH4L040N120SC1onsemi
- AD8616ARZAnalog Devices Inc.
- FF23MR12W1M1PB11BPSA1Infineon Technologies







