SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
НОВА часть #:
312-2282029-SI4435FDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4435FDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4435 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen III | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1500 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.8W (Tc) | |
| Другие имена | SI4435FDY-T1-GE3DKR SI4435FDY-T1-GE3TR SI4435FDY-T1-GE3CT SI4435FDY-T1-GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
JS202011CQNC&K
LTC2050IS5#TRPBFAnalog Devices Inc.
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
BSS138W-7-FDiodes Incorporated
B1100-13-FDiodes Incorporated- SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
DRV8837CDSGTTexas Instruments
20SVPF180MPanasonic Electronic Components- SI4463CDY-T1-GE3Vishay Siliconix
AO4838Alpha & Omega Semiconductor Inc.
NLV17SZ125DFT2Gonsemi
BSH202,215Nexperia USA Inc.
