RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
НОВА часть #:
312-2285623-RQ3E075ATTB
Производитель:
Номер детали производителя:
RQ3E075ATTB
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Базовый номер продукта | RQ3E075 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 930 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 15W (Tc) | |
| Другие имена | RQ3E075ATTBDKR RQ3E075ATTBCT RQ3E075ATTBTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PMEG100V080ELPDZNexperia USA Inc.
SI7619DN-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM085P03CV RGGTaiwan Semiconductor Corporation
RQ3E120ATTBRohm Semiconductor- RQ3E120GNTBRohm Semiconductor
AONR21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMP3008SFGQ-13Diodes Incorporated