PSMN2R0-30YLE,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2288052-PSMN2R0-30YLE,115
Производитель:
Номер детали производителя:
PSMN2R0-30YLE,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | PSMN2R0 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5217 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 272W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-1130-6 568-10285-1 568-10285-2 PSMN2R0-30YLE,115-ND 1727-1130-2 568-10285-6 568-10285-6-ND 568-10285-2-ND 934066896115 1727-1130-1 568-10285-1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- MMBT3906SLFairchild Semiconductor
- NX7002AK,215Nexperia USA Inc.
- MCP2221-I/STMicrochip Technology
- LTC4280CUFD#PBFAnalog Devices Inc.
- SN74LVC1G08DRLRTexas Instruments
- LTC4282CUH#PBFAnalog Devices Inc.
- IRFH5302TRPBFInfineon Technologies








