IRFH5302TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6) Single Die
Базовый номер продукта	IRFH5302
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4400 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 100W (Tc)
Другие имена	IRFH5302TRPBFDKR SP001575636 IRFH5302TRPBFCT IRFH5302TRPBFTR 2156-IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF-ND INFINFIRFH5302TRPBF

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!