SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2280919-SI2343CDS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2343CDS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 5.9A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2343 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 590 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | SI2343CDS-T1-GE3CT SI2343CDS-T1-GE3DKR SI2343CDS-T1-GE3TR SI2343CDST1GE3 |
In stock Нужно больше?
0,36120 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2347DS-T1-GE3Vishay Siliconix
AO3407AAlpha & Omega Semiconductor Inc.- SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
NL27WZ16DTT1Gonsemi
PMEG6020AELRXNexperia USA Inc.
DMP3056L-7Diodes Incorporated
SN65HVD72DRTexas Instruments- SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
SIR422DP-T1-GE3Vishay Siliconix
IRLML6346TRPBFInfineon Technologies
MCP130T-315I/TTMicrochip Technology
RRR040P03TLRohm Semiconductor
