SI4427BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
НОВА часть #:
312-2287992-SI4427BDY-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4427BDY-T1-E3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4427 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 12.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Ta) | |
| Другие имена | SI4427BDYT1E3 SI4427BDY-T1-E3CT SI4427BDY-T1-E3DKR SI4427BDY-T1-E3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT3904L RFGTaiwan Semiconductor Corporation
BSS138BWAHZGT106Rohm Semiconductor
MMBT3906,215Nexperia USA Inc.
DMG4407SSS-13Diodes Incorporated
HV2607T-C/R8XMicrochip Technology
150060RS75020Würth Elektronik
J114AF2CS5VDC.53CIT Relay and Switch
