DMG4407SSS-13

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO

НОВА часть #:

312-2264967-DMG4407SSS-13

Производитель:

Номер детали производителя:

DMG4407SSS-13

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

P-Channel 30 V 9.9A (Ta) 1.45W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	DMG4407
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2246 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.45W (Ta)
Другие имена	DMG4407SSS-13DI-ND DMG4407SSS-13DI DMG4407SSS-13DICT DMG4407SSS-13DITR DMG4407SSS-13DIDKR