IPP040N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 20A/80A TO220-3
НОВА часть #:
312-2276085-IPP040N06NAKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPP040N06NAKSA1
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 20A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-3 | |
| Базовый номер продукта | IPP040 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Ta), 80A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 50µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 107W (Tc) | |
| Другие имена | SP000959820 IPP040N06N IPP040N06N-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
3352T-1-103LFBourns Inc.
MBR745SMC Diode Solutions
MBR1045-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes Division