STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2263528-STL57N65M5
Производитель:
Номер детали производителя:
STL57N65M5
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (8x8) HV | |
| Базовый номер продукта | STL57 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ V | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4200 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta), 189W (Tc) | |
| Другие имена | 497-13520-1 497-13520-2 497-13520-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SIHH068N60E-T1-GE3Vishay Siliconix
- NTMT064N65S3Honsemi
- BZT55C12-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- LT3090IDD#PBFAnalog Devices Inc.



