BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
НОВА часть #:
312-2283018-BSC082N10LSGATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC082N10LSGATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | BSC082 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13.8A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 110µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7400 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156W (Tc) | |
| Другие имена | BSC082N10LSGATMA1TR BSC082N10LSGXT SP000379609 BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LS GDKR-ND BSC082N10LS GCT-ND BSC082N10LSGATMA1CT BSC082N10LS G-ND BSC082N10LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC082N10LS GCT BSC082N10LSG BSC082N10LS G BSC082N10LS GDKR BSC082N10LSGATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC105N10LSFGATMA1Infineon Technologies
LM5051MA/NOPBTexas Instruments
CSD19533Q5ATexas Instruments
FDMS86101onsemi
FFD10UP20Sonsemi- BSC060N10NS3GATMA1Infineon Technologies
TDA08H0SB1C&K