FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
НОВА часть #:
312-2280914-FDMS86101
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86101
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12.4A (Ta), 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86101TR FDMS86101CT FDMS86101DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC4359IMS8#TRPBFAnalog Devices Inc.
BSC105N10LSFGATMA1Infineon Technologies
CMMR1U-02 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
FDMS86104onsemi
LTC4359HDCB#TRMPBFAnalog Devices Inc.
FDMC86240onsemi
PE-68386NLPulse Electronics Power
EPC3472G-LFPCA Electronics, Inc.
LTC4278IDKD#TRPBFAnalog Devices Inc.- LTC4359CMS8#PBFAnalog Devices Inc.
CUS10S30,H3FToshiba Semiconductor and Storage
CMLT3820G TR PBFREECentral Semiconductor Corp
