BSO080P03NS3GXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
НОВА часть #:
312-2287794-BSO080P03NS3GXUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSO080P03NS3GXUMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8 | |
| Базовый номер продукта | BSO080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.1V @ 150µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6750 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | BSO080P03NS3 GCT-ND BSO080P03NS3 G-ND BSO080P03NS3 GDKR-ND BSO080P03NS3 GCT BSO080P03NS3G SP000472996 BSO080P03NS3 G BSO080P03NS3GXUMA1TR BSO080P03NS3GXUMA1CT BSO080P03NS3 GDKR BSO080P03NS3GXUMA1DKR BSO080P03NS3 GTR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AO4447AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
BSO080P03NS3GInfineon Technologies
SI4413ADY-T1-E3Vishay Siliconix
RRH140P03GZETBRohm Semiconductor
BSO301SPHXUMA1Infineon Technologies- SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4425FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSO130P03SHXUMA1Infineon Technologies
- SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4483EY-T1_BE3Vishay Siliconix
