BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
НОВА часть #:
312-2291906-BSO130P03SHXUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSO130P03SHXUMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 9.2A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8 | |
| Базовый номер продукта | BSO130 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11.7A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 140µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3520 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.56W (Ta) | |
| Другие имена | BSO130P03S HCT 2156-BSO130P03SHXUMA1 BSO130P03S H BSO130P03SHXUMA1DKR SP000613860 BSO130P03S HDKR BSO130P03SHXUMA1TR BSO130P03S HDKR-ND BSO130P03SHXUMA1CT BSO130P03S H-ND BSO130P03SH BSO130P03S HTR-ND BSO130P03S HCT-ND IFEINFBSO130P03SHXUMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SI4413ADY-T1-E3Vishay Siliconix
- BSO301SPHXUMA1Infineon Technologies
- SI4459BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4425FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ4483EY-T1_BE3Vishay Siliconix
- SI4491EDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSO080P03NS3GXUMA1Infineon Technologies



