SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2285486-SQ3427EV-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ3427EV-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 5.3A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SQ3427 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Tc) | |
| Другие имена | SQ3427EV-T1_GE3CT SQ3427EV-T1_GE3-ND SQ3427EV-T1_GE3TR SQ3427EV-T1-GE3 SQ3427EV-T1_GE3DKR |
In stock Нужно больше?
0,52660 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP6110SVT-7Diodes Incorporated
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay Siliconix
FDC5614Ponsemi- SQ3427AEEV-T1_BE3Vishay Siliconix
NTGS5120PT1Gonsemi- SI3127DV-T1-GE3Vishay Siliconix
- DMP6110SVTQ-13Diodes Incorporated
- SQ3427AEEV-T1_GE3Vishay Siliconix
- DMP6110SVTQ-7Diodes Incorporated
RQ6L020SPTCRRohm Semiconductor
