SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2285508-SQ3426AEEV-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ3426AEEV-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 7A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SQ3426 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 700 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Tc) | |
| Другие имена | SQ3426AEEV-T1_GE3CT SQ3426AEEV-T1_GE3DKR SQ3426AEEV-T1-GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3-ND SQ3426AEEV-T1_GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,67620 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSL606SNH6327XTSA1Infineon Technologies
DMN6040SVT-7Diodes Incorporated
SQ3418EV-T1_GE3Vishay Siliconix- DMN6040SVTQ-13Diodes Incorporated
BUK7Y12-55B,115Nexperia USA Inc.
PMN40ENAXNexperia USA Inc.- SQ3427EV-T1_GE3Vishay Siliconix
SS3H10HE3_B/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
TLV6713DDCRTexas Instruments
SQ3426EV-T1_GE3Vishay Siliconix- SQ3427AEEV-T1_GE3Vishay Siliconix
FDC5661N-F085onsemi- SI3438DV-T1-E3Vishay Siliconix
