SQJA82EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2280374-SQJA82EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJA82EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJA82 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3000 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 68W (Tc) | |
| Другие имена | SQJA82EP-T1_GE3DKR SQJA82EP-T1_GE3CT SQJA82EP-T1_GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
PCR1V151MCL6GSNichicon
BZT52C12TQ-7-FDiodes Incorporated
SQSA80ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJ402EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MMDT5451-7-FDiodes Incorporated
BTS436L2GATMA1Infineon Technologies
BAV21WS-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJA72EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SS1FH10HM3/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
SQ2315ES-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJA92EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ479EP-T1_GE3Vishay Siliconix
