SQ2315ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2294016-SQ2315ES-T1_BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2315ES-T1_BE3
Стандартный пакет:
3,000
P-Channel 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2315 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 870 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQ2315ES-T1_BE3TR 742-SQ2315ES-T1_BE3CT 742-SQ2315ES-T1_BE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI2333CDS-T1-E3Vishay Siliconix- SQ2301ES-T1_BE3Vishay Siliconix
- SQ2364EES-T1_GE3Vishay Siliconix
IRLML6401TRPBFInfineon Technologies- SQ2315ES-T1_GE3Vishay Siliconix