SI3407DV-T1-BE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

НОВА часть #:

312-2296698-SI3407DV-T1-BE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI3407DV-T1-BE3

Стандартный пакет:

3,000

P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3407
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7.5A (Ta), 8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
VGS (макс.)	±12V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1670 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Другие имена	742-SI3407DV-T1-BE3CT 742-SI3407DV-T1-BE3TR 742-SI3407DV-T1-BE3DKR