NVMTS4D3N15MC
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
НОВА часть #:
312-2298812-NVMTS4D3N15MC
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMTS4D3N15MC
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-DFNW (8.3x8.4) | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 21A (Ta), 165A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.45mOhm @ 95A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 521µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 79 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6514 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5W (Ta), 292W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVMTS4D3N15MCTR 488-NVMTS4D3N15MCDKR 488-NVMTS4D3N15MCCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
NTBLS4D0N15MConsemi
NTMTS4D3N15MConsemi
NTMTSC4D3N15MConsemi- NVBLS4D0N15MConsemi
