SUD08P06-155L-BE3
MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
НОВА часть #:
312-2285485-SUD08P06-155L-BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD08P06-155L-BE3
Стандартный пакет:
2,000
P-Channel 60 V 8.2A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 450 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SUD08P06-155L-BE3TR 742-SUD08P06-155L-BE3DKR 742-SUD08P06-155L-BE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- FDD5614Ponsemi
- RD3L140SPTL1Rohm Semiconductor
- ZXMP6A18KTCDiodes Incorporated
- AOD407Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FQD11P06TMonsemi
- NP15P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- ZXMP6A17KTCDiodes Incorporated
- NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- SPD08P06PGBTMA1Infineon Technologies
- TJ15S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- SPD18P06PGBTMA1Infineon Technologies
- SUD08P06-155L-GE3Vishay Siliconix
- IRLML0030TRPBFInfineon Technologies
- IXTY48P05TIXYS
- FQD17P06TMonsemi





