FDFS2P106A

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

НОВА часть #:

312-2288054-FDFS2P106A

Производитель:

Номер детали производителя:

FDFS2P106A

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	FDFS2P106
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	PowerTrench®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Полевой транзистор	Schottky Diode (Isolated)
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	714 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	900mW (Ta)
Другие имена	FDFS2P106ATR FDFS2P106A_NLCT-ND FDFS2P106ADKR FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ACT FDFS2P106ACT-NDR FDFS2P106A_NLCT FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106ATR-NDR