NVR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284986-NVR5198NLT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVR5198NLT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | NVR5198 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 182 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 900mW (Ta) | |
| Другие имена | NVR5198NLT1GOSTR ONSONSNVR5198NLT1G 2156-NVR5198NLT1G-OS NVR5198NLT1GOSCT NVR5198NLT1GOSDKR NVR5198NLT1G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVR5198NLT3Gonsemi
NTJD1155LT1Gonsemi
FDC5614Ponsemi
NCP45540IMNTWG-Honsemi
NCS20071SN2T1Gonsemi- FDC6312Ponsemi
NVTFS5116PLTAGonsemi
NCV1117ST33T3Gonsemi
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
FDMC4435BZonsemi- NVR5124PLT1Gonsemi
SQ2308CES-T1_GE3Vishay Siliconix- NTTFS5116PLTAGonsemi
BAT54HT1Gonsemi
