SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
НОВА часть #:
312-2281867-SI2356DS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2356DS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 4.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2356 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 370 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | |
| Другие имена | SI2356DS-T1-GE3DKR SI2356DS-T1-GE3TR SI2356DS-T1-GE3CT |
In stock Нужно больше?
0,60620 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SS24FLonsemi
SQ2361ES-T1_GE3Vishay Siliconix- SI2318DS-T1-E3Vishay Siliconix
BAT54SLT1Gonsemi- SI2300DS-T1-GE3Vishay Siliconix
B360A-13-FDiodes Incorporated
DMP3056L-7Diodes Incorporated
BC847B,215Nexperia USA Inc.
BAV99WT1Gonsemi
SN74LVC1G07DCKRTexas Instruments- SQ2318BES-T1_GE3Vishay Siliconix
MAX6373KA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated- SQ2362ES-T1_GE3Vishay Siliconix
NVMFS5C404NLAFT1Gonsemi
