FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
НОВА часть #:
312-2264289-FQD16N25CTM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD16N25CTM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD16N25 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 53.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 250 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1080 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 160W (Tc) | |
| Другие имена | FQD16N25CTMTR FQD16N25CTMDKR FQD16N25CTMCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD10950E_GE3Vishay Siliconix
STD17NF25STMicroelectronics
FDLL300Aonsemi
FQD11P06TMonsemi
IXTY44N10T-TRLIXYS
1SS355TE-17Rohm Semiconductor- FQD10N20CTMonsemi
9012-12-10Coto Technology
WP59BL/EGWKingbright
BCX56-16,115Nexperia USA Inc.- 2N7002K_R1_00001Panjit International Inc.
