IXTH200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
НОВА часть #:
312-2263529-IXTH200N10T
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTH200N10T
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 (IXTH) | |
| Базовый номер продукта | IXTH200 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Trench | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 152 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 550W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTH160N10TIXYS
IXFH140N10PIXYS
IRFP4468PBFInfineon Technologies
STD105N10F7AGSTMicroelectronics- IXTH180N10TIXYS
