SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
НОВА часть #:
312-2263364-SI1021R-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI1021R-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-75A | |
| Базовый номер продукта | SI1021 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 190mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-75, SOT-416 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250mW (Ta) | |
| Другие имена | SI1021R-T1-GE3DKR SI1021RT1GE3 SI1021R-T1-GE3CT SI1021R-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM3J36FS,LFToshiba Semiconductor and Storage
SI1031R-T1-GE3Vishay Siliconix
RV2C014BCT2CLRohm Semiconductor- SI1012CR-T1-GE3Vishay Siliconix
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix- ISS55EP06LMXTSA1Infineon Technologies
- TP0610K-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI1022R-T1-GE3Vishay Siliconix
RE1E002SPTCLRohm Semiconductor
TPS7A2418DBVRTexas Instruments