BSC018N04LSGATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Базовый номер продукта	BSC018
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 85µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	150 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	12000 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
Другие имена	SP000388293 BSC018N04LS GDKR BSC018N04LSGATMA1TR BSC018N04LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC018N04LSGATMA1DKR BSC018N04LS G BSC018N04LS GCT-ND BSC018N04LS GTR-ND BSC018N04LSGATMA1CT BSC018N04LS GDKR-ND BSC018N04LS G-ND BSC018N04LSG BSC018N04LS GCT BSC018N04LSGATMA1DKR-NDTR-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!