IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK
НОВА часть #:
312-2289813-IPB407N30NATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB407N30NATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 300 V 44A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB407 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 44A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.7mOhm @ 44A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 270µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7180 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | SP001273344 448-IPB407N30NATMA1CT IPB407N30NATMA1-ND 448-IPB407N30NATMA1TR 448-IPB407N30NATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPT60R045CFD7XTMA1Infineon Technologies
IXFA72N30X3IXYS
FDB2710onsemi
STB45N30M5STMicroelectronics
IPB60R040CFD7ATMA1Infineon Technologies- IPB600N25N3GATMA1Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1Infineon Technologies
IXFA38N30X3IXYS- STB46N30M5STMicroelectronics
- FDB33N25TMonsemi
- FDB38N30Uonsemi
- STB46NF30STMicroelectronics
