TK125V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
НОВА часть #:
312-2269754-TK125V65Z,LQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK125V65Z,LQ
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Базовый номер продукта | TK125V65 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | DTMOSVI | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 24A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1.02mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 4-VSFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2250 pF @ 300 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 190W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TK125V65Z,LQDKR 264-TK125V65Z,LQDKR-ND 264-TK125V65Z,LQTR 264-TK125V65Z,LQCT 264-TK125V65ZLQTR 264-TK125V65ZLQCT 264-TK125V65Z,LQTR-ND TK125V65Z,LQ(S 264-TK125V65Z,LQCT-ND 264-TK125V65ZLQDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK210V65Z,LQToshiba Semiconductor and Storage
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and Storage