SUD19N20-90-E3
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
НОВА часть #:
312-2282996-SUD19N20-90-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD19N20-90-E3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD19 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| Другие имена | SUD19N20-90-E3TR SUD19N2090E3 SUD19N20-90-E3DKR SUD19N20-90-E3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LT1716IS5#TRMPBFAnalog Devices Inc.
IRFR3710ZTRPBFInfineon Technologies
SUD19N20-90-BE3Vishay Siliconix- FDD18N20LZonsemi
LTC4355IS#PBFAnalog Devices Inc.
IRFR9120PBFVishay Siliconix- SUD19N20-90-T4-E3Vishay Siliconix
STD20NF20STMicroelectronics
DMG301NU-13Diodes Incorporated
MMBTA56LT1Gonsemi
