IPB027N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
НОВА часть #:
312-2283550-IPB027N10N3GATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB027N10N3GATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:

N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительInfineon Technologies
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3
Базовый номер продукта IPB027
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядOptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 120A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 3.5V @ 275µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 206 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 14800 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 300W (Tc)
Другие именаIPB027N10N3 GCT
IPB027N10N3GATMA1CT
IPB027N10N3 G-ND
IPB027N10N3 GDKR-ND
SP000506508
IPB027N10N3GATMA1DKR
IPB027N10N3G
IPB027N10N3GATMA1TR
IPB027N10N3 G
IPB027N10N3 GTR-ND
IPB027N10N3 GDKR
IPB027N10N3 GCT-ND

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!