IPB072N15N3GATMA1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Базовый номер продукта	IPB072
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	93 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5470 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	IPB072N15N3G IPB072N15N3GATMA1TR IPB072N15N3 GTR-ND IPB072N15N3 GCT-ND IPB072N15N3GATMA1DKR SP000386664 IPB072N15N3 G-ND IPB072N15N3GATMA1CT IPB072N15N3 G IPB072N15N3 GCT IPB072N15N3 GDKR-ND IPB072N15N3 GDKR 2156-IPB072N15N3GATMA1 INFINFIPB072N15N3GATMA1