BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
НОВА часть #:
312-2282787-BSC022N04LSATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC022N04LSATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC022 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2600 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) | |
| Другие имена | BSC022N04LSATMA1TR BSC022N04LSATMA1DKR SP001059844 BSC022N04LSATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSC037N08NS5ATMA1Infineon Technologies
IPB107N20N3GATMA1Infineon Technologies
CB3LV-3I-50M000000CTS-Frequency Controls- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
PMEG3050EP,115Nexperia USA Inc.
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon Technologies- BSC032N04LSATMA1Infineon Technologies
