DMN60H080DS-7
MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284364-DMN60H080DS-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN60H080DS-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 80mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100Ohm @ 60mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.7 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 25 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.1W (Ta) | |
| Другие имена | DMN60H080DS-7DIDKR DMN60H080DS-7-ND DMN60H080DS-7DICT DMN60H080DS-7DITR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
TLC2272AMDTexas Instruments
T520D477M006ATE015KEMET
BSS127SSN-7Diodes Incorporated
TP5335K1-GMicrochip Technology
IPN60R3K4CEATMA1Infineon Technologies
G6K-2P DC5Omron Electronics Inc-EMC Div- BSS127S-7Diodes Incorporated
- DMN60H080DS-13Diodes Incorporated
M24C04-WMN6PSTMicroelectronics
LT3021ES8-1.8#PBFAnalog Devices Inc.
